SiC MOSFET(1200V)： Wolfspeed E4M0013120K 概要、構造、プロセス、電気特性解析レポート


パッケージ外観	SiC MOSFETチップ

概要

・2024年6月、SiCウエハの世界最大手メーカーであるWolfspeed社が第4世代SiC MOSFETを発売しました。
　今回、このSiC MOSFETについて、概要解析と、パッケージとチップ構造解析(第3世代品との比較を含む)、製造プロセスおよび電気特性解析に関するレポートをリリースしました。
　　　※ Wolfspeed第3世代品の構造解析レポート(23G-0478-1)は販売中です。詳しくはお問い合わせください。
　　　　　　　　https://www2.ltec-biz.com/asd/Resource/pdf/d9a2e467a5ef1fb2c25e7b7f685de4a4.pdf

製品特徴

・車載認定(AEC-Q101) およびPPAP (Production Part Approval Process) 対応
・アプリケーション: Motor Control, EV Battery Chargers, High Voltage DC/DC Converters

解析内容・結果概要 (各レポートの目次はP.2, 4, 6を参照。)

①概要解析レポート：　価格￥250,000（税別)　　　発注後1weekで納品
・パッケージとチップ観察、セル部、チップ終端部の断面観察

②構造解析レポート：　価格￥700,000（税別)　　発注後1weekで納品
・第3世代品との比較の結果、同じRon=13mΩで 17% のチップサイズ縮小を実現している。
・本製品のトランジスタセルアレー(平面)がHoneycomb（ハニカム）型構造である。
・概要解析レポートの内容も含む。

③プロセス、電気特性解析レポート：　価格￥700,000（税別)　　発注後1weekで納品
・性能指数である面積当たりのオン抵抗（RonxAA）を、大手メーカー（ローム、Infineon）と比較。
・Ron成分を電気特性測定評価により定量的に分析し、新構造・レイアウト（ハニカム）のRonxAAおよびチャネル抵抗成分Rchの低減効果を明らかにした。
・製造工程とフォト/マスクを推定し、製造シーケンスの詳細を示す。
・Wolfspeedの第2世代から第4世代の技術、改善点の進化を調査し、同社の開発戦略が推測できる。

オプション解析：SCM評価　　納期・価格についてはお問い合わせください。