SiC MOSFET(1200V)： MOSFET (Rohm第4世代, 東芝第3世代, GeneSiC第3世代) 短絡耐量調査・ベンチマークレポート
レポート概要
車載モータインバータにSiC MOSFETを採用している車両が中国車を中心に増えてきました。インバータ搭載パワーデバイスの大きな課題の一つとして、短絡耐性があり、各社コスト（チップサイズ、歩留まり）制約の中で、短絡耐性の向上に取り組んでいます。
当社では、実測短絡テストと合わせて、トランジスタの構造解析、物理モデリングとシミュレーションを使い、トランジスタの短絡耐性のデータ評価、熱インピーダンスモデルの構築を行っており、2020年にSiC MOSFETの短絡耐性評価のベンチマークレポート(19G-0025-1)をリリースしました。今回は下記3社の最新世代デバイスについてレポート化しています。
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ROHM 第4世代 SiC MOSFET GeneSiC 第3世代 SiC MOSFET 東芝 第3世代 SiC MOSFET |
レポート内容
※次頁 目次参照
・SiC MOSFETの短絡耐量の比較。
(ROHM(4th)、WOLFSPEED(3rd)、GeneSiC(3rd)、東芝(2nd) (3rd))
・各社技術トレンドとトランジスタのスケーリング、酸化膜厚との関連、考察。
・短絡状態でトランジスタが安全にターンオフする最大短絡時間（tscm）の抽出。
本レポート情報は下記に活用できます。
・短絡保護回路の最小応答時間を推測。
・安全にターンオフする最大短絡時間（tscm）は保護回路設計の制約として使用可能。
・測定された短絡ドレイン電流波形と耐久時間（tsc,f）を、SPICE電気・熱シミュレーションで使用、トランジスタの内部温度および臨界破壊エネルギー（Esc,f)を推定。
レポート販売価格
￥650,000（税別） 発注後1weekで納品
レポートパンフレット
SiC MOSFET(1200V)：MOSFET (Rohm第4世代, 東芝第3世代, GeneSiC第3世代) 短絡耐量調査・ベンチマークレポート
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