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Si-IGBT(1200V)パワーモジュール: StarPower製 GD600HTA120P6HT モジュール、IGBT構造解析レポート

モジュール外観

モジュール内部

搭載IGBTチップ

レポート概要

 電気自動車(BEV)は中国を中心に普及が進んでいますが、インバータに搭載されるパワーモジュールについても中国企業の製品が増えてきており、StarPower 、BYDが市場を牽引、性能は年々向上してきています。

 本レポートでは、StarPower製 D600HTA120P6HTにてモジュール搭載IGBTの解析を行い、同社製品の特徴についてまとめています。

製品仕様・特徴

型番:GD600HTA120P6HT 1200V Si–IGBT ※ICN =600A 製品リリース日: 2023年3月

 

6 in 1 Half-Bridge module、車載用アプリケーション向け

解析内容・結果概要 (レポートの目次はP.2, 4を参照)

①モジュール構造解析レポート 価格:¥600,000 (税抜)  発注後1weekで納品

・パワーモジュールの絶縁基板はAMC基板を採用。

・チップとダイパッド間のダイアタッチ材としてSn-Ag-Cu系はんだを使用。

・冷却ピンは楕円型となっており、Pin底部に凹凸を形成。

IGBT構造解析レポート 価格:¥600,000 (税抜)  発注後1weekで納品

・トランジスタセルはストライプ型のトレンチゲート構造。

・セル領域内には2種類のトレンチゲートが使用されている。

オプション  搭載FWD構造解析 価格 ¥500,000 (税別)   納期はエルテックまでお問い合わせください。

 ・平面解析(配線接続、レイアウト確認) 、断面解析(セル部、チップ終端部)

 ・SR分析 (ウェハのキャリア濃度分析)

レポートパンフレット

Si-IGBTモジュール(1200V):StarPower製 GD600HTA120P6HT モジュール、IGBT構造解析レポート


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