Si-IGBT(1200V)パワーモジュール: StarPower製 GD600HTA120P6HT モジュール、IGBT構造解析レポート
モジュール外観 |
モジュール内部 |
搭載IGBTチップ |
レポート概要
電気自動車(BEV)は中国を中心に普及が進んでいますが、インバータに搭載されるパワーモジュールについても中国企業の製品が増えてきており、StarPower 、BYDが市場を牽引、性能は年々向上してきています。
本レポートでは、StarPower製 D600HTA120P6HTにてモジュール搭載IGBTの解析を行い、同社製品の特徴についてまとめています。
製品仕様・特徴
型番:GD600HTA120P6HT 1200V Si–IGBT ※ICN =600A 製品リリース日: 2023年3月 |
6 in 1 Half-Bridge module、車載用アプリケーション向け
解析内容・結果概要 (レポートの目次はP.2, 4を参照)
①モジュール構造解析レポート 価格:¥600,000 (税抜) 発注後1weekで納品
・パワーモジュールの絶縁基板はAMC基板を採用。
・チップとダイパッド間のダイアタッチ材としてSn-Ag-Cu系はんだを使用。
・冷却ピンは楕円型となっており、Pin底部に凹凸を形成。
②IGBT構造解析レポート 価格:¥600,000 (税抜) 発注後1weekで納品
・トランジスタセルはストライプ型のトレンチゲート構造。
・セル領域内には2種類のトレンチゲートが使用されている。
オプション 搭載FWD構造解析 価格 ¥500,000 (税別) 納期はエルテックまでお問い合わせください。
・平面解析(配線接続、レイアウト確認) 、断面解析(セル部、チップ終端部)
・SR分析 (ウェハのキャリア濃度分析)
レポートパンフレット
Si-IGBTモジュール(1200V):StarPower製 GD600HTA120P6HT モジュール、IGBT構造解析レポート
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