半導体

SiC MOSFET (1200V) ：STMicro社製第3世代SiC MOSFET SCT040W120G3AG 構造、プロセス解析レポート

製品概要と特長

・STMicro は、2021 年末に第 3 世代の SiC MOSFET テクノロジを発表。SCT040W120G3AGは、この技術を使用した同社最新プレーナ型MOSFETの製品となります。

　第2世代トランジスタのセルピッチは縮小され、チップサイズと単位面積あたりのオン抵抗(RONxA)を低減することで性能が向上しています。

・車載用AEC-Q101認証取得

・今回、全世代との構造比較、電気特性、プロセス推定のレポートとなります。

型番： SCT040W120G3AG　　1200V SiC MOSFET Id=40A, Ron=40mΩ
製品リリース日：2022年11月

(1)構造解析レポート　価格: 80万円(税抜）　発注後1weekで納品

　　・パッケージ,チップ観察

　　・SiC MOSFETの平面解析：配線接続、レイアウト構成

　　・SiC MOSFETの断面SEM構造解析：セルアレイとチップエッジターミネーション

　　・SiC MOSFETの断面TEM構造解析：セルアレイ

　　・SiC MOSFET SCM解析1)：チャネル、JFET、エピ層、Buffer層

　　・前世代との構造比較

・その他当社リリースレポートはこちら

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