半導体

温度補償型MEMS発振器：SiTime SiT5501 回路解析レポート


Chip Overview (発振IC Top)	Block Diagram	(出典) Datasheet P.1 Figure 1. SiT5501 Block Diagram https://www.sitime.com/datasheet/SiT5501

概要

　MEMS発振器は水晶と比べて高温下での動作や震動や衝撃などに強く、本製品は高精度クロックを実現しながら、競合のmini-OCXOと比べて実装面積1/2、消費電力1/4、信頼性30倍を実現している事が特徴です。本レポートではチップの回路解析を実施し、構成している機能の特定や回路構成を明らかにし、どのような工夫をおこなっているのかをまとめています。

製品特徴

製品情報 SiTime SiT5501 (2022年4月発表)
周波数範囲 1～60 MHz、周波数安定性 ±10 ppd、標準消費電力 110 mW、周波数スロープ±0.3 ppb/℃
チップ情報　チップサイズ 2.85×2.15 mm、積層メタル 6層

解析内容

【MEMS】チップサイズ、チップ写真（トップメタル）
【発振IC】チップサイズ、チップ写真（各層）、回路解析、特徴ある機能や工夫についてコメント
　　　　　　　アナログ回路レポート（上図”ロジック領域”は含まない）、
　　　　　　　機能別レポート（PLL、発振回路、出力ドライバ、共通アナログ）
　納品物：レポートPDFと回路図ビューワー、SchematicのCADデータ（EDIFフォーマット）