1200V SiC MOSFETs調査・ベンチマークレポート（2022年版）

背景

　過去4年間で、SiCトランジスタはEV（電気自動車）で使用され始め、主要メーカーは技術更新を行いました（2016年のローム第3世代プロセスから2021年の新しい第4世代プロセス）。 エルテックは 2018 年以降、 これらの製品に関する重要な分析データと情報を蓄積しており、そのデータには中国のメーカー (BYD) や Tier 1 の自動車システム サプライヤー (DENSO など) が含まれています。

それらの情報を基に、2018 年度に作成した SiC MOSFET ベンチマーク レポートを更新し、2022年版の SiC MOSFET 技術調査およびベンチマーク レポートをリリースします。

調査結果

・SiCウェハの供給を確保するための買収・合併

・200mm SiCウェハ(WOLFSPEED)の生産開始

・用途拡大（EV、PV等）と歩留まりの向上によるASP（平均販売価格）（-25 ～ -40% 削減されている2018－2022）

・トレンチ構造のSiC MOSFETが普及しつつある（ROHM、Infineon、デンソー、富士電機、BYD）

・SiC MOSFETの着実かつ絶え間ない技術改善と性能向上。面積あたりのオン抵抗 (RONxA) は、

 　~220mΩ・mm2 (第 4 世代、Vdss=1200V) に達しており、これは 650V Si スーパージャンクション

 　MOSFET (CoolMOS C7) の RONxA の約 1/4 である。

・半導体メーカーの分類

         – 垂直生産統合のトップリーダー（ウェハ→デバイス→モジュール）

         – 専用アプリケーション（例、鉄道、自動車Tier-1）のB-to-B

         – 一般的な商業/産業アプリケーションのメーカー

オープンレポート内容  (次ページの目次参照)

ベンチマーク: TOSHIBA, ROHM (3rd and 4th Gen), Wolfspeed, Onsemi, INFINEON (CoolSiC M1)

このレポートで対処する質問：

・SiC ウェハの主要サプライヤーおよび大手な SiC トランジスタ メーカー

・SiCトランジスタの技術進化および性能向上動向

・SiC MOSFET は値下がりしていますか? ASP（平均販売価格）が下がる傾向はありますか？

・SiC と Si系のトランジスタのコスト/価格比は? 2018年から変わった？

・短絡 (SC) の耐性と短い耐性時間について

・大電流（Id～200A）パワーモジュールに使用される大面積SiC MOSFETの製造歩留まり低下への対策

レポートパンフレット

SiC MOSFETs調査・ベンチマークレポート（2022年版)

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