SiC MOSFET(1200V) ： SEMIQ製 (GP2T040A120H) 構造解析レポート


パッケージ写真	内部レイアウト	1200V SiC MOSFET

製品概要

2022年10月、SEMIQ社※は第2世代となる1200V 40mΩ SiC MOSFETを発売した。

既存製品（1200V 80mΩ　SiCMOSFET）と比較してオン抵抗の改善が期待できる。

またその他の特徴として導通損失とスイッチング損失の最良のトレードオフを提供して、可能な限り幅広いアプリケーションに利益をもたらすように新しいデバイスを設計している。

用途としてはソーラーインバータ、無停電電源装置(UPS)、EV充電ステーションなどに使用される。

※SEMIQ Inc・・・米国を拠点とするシリコンカーバイド(SiC)パワー半導体デバイスおよび材料の開発者および製造業者（以前はGlobal Power Technologies Group)

・TO-267-4L パッケージ

・プレーナ型ゲート

型番：GP2T040A120H 1200V SiC MOSFET Ron(typ)=37mΩ、ID=63A
製品リリース日： 2022年10月

　・パッケージ観察、チップ観察、

・SiC MOSFET平面解析：　配線接続、レイアウト確認

　・SiC MOSFET断面解析：　セル部、チップ終端部、裏面電極、EDX分析

備考：　本製品のプロセス解析レポートも企画中です。　詳しくはエルテックまでお問い合わせください。

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