SiC SBDs (600-1200V)：調査・ベンチマークレポート

レポート概要

　約20年前に初めて商業的に導入されたSiC ショットキーバリアダイオード (SBD) は、(Si PN ダイオードと比較して) 非常に低いターンオン電圧、単極キャリア伝導により逆回復電流を無視できるため、パワーエレクトロニクスシステムで広く使用されています。

本レポートでは、下記の表に示す 5つの製品に焦点を当てて、SBDの構造の進化、レイアウト、電気的特性を評価し、その技術動向をまとめています。

また、性能指数（FOM：面積あたりの微分ON抵抗　RF・A、VF、耐圧）を評価し、デバイスの構造パラメータとの相関や、さらにSiC MOSFET との比較も行っています。

SiC SBDs (600-1200V)調査・ベンチマークレポート：　価格95万円（税別)　発注後1weekで納品

・デバイス構造解析内容（活性領域（SBD、JBS、MPS）、周辺エッジ）
・大手SiCメーカーのBPD（Basal Plane Dislocation：基底面転位）対策N-Buffers構造の抽出と比較

※ 本レポートの目次、一部内容は抜粋して次ページ以降に記載しています。

・各メーカーでのNバッファ層は、0.2μm から最大 3μm までと大きく異なっています。 (P3 表3-1参照)
・測定した1200V定格ダイオードの分析により、順方向抵抗(RF)の成分は以下となっています。

基板 (N+) は RF に大きな影響を与えます。

上記SBD製品個別の詳細レポートについてご興味の方は、お気軽にお問い合わせください。

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