SiC MOSFET(1200V)： 三安半導体 SMS1200075M2 概要、構造解析レポート

パッケージ外観	チップ全体写真

概要

　中国の化合物半導体メーカーである三安光電は、2023年6月に半導体大手のSTMicroelectronicsと
SiCの量産に向けた合弁工場(2025年第4四半期に生産開始)を重慶(中国)に設立する契約を締結したと発表しました。(※) こうした背景の下、三安光電の子会社である三安半導体製の1200V SiC MOSFETの技術レベルを明らかにするため、他社メーカーとの比較を含めた概要解析、構造解析レポートをリリースしました。

※参照URL: https://newsroom.st.com/ja/media-center/press-item.html/c3186.html

製品特徴

• 本製品は第二世代品と推定。
• アプリケーション: ソーラーインバーター、無停電電源装置、スイッチング電源、モータードライブ

解析内容・結果概要

① 概要解析レポート：　価格 ￥300,000 (税別)　発注後1weekで納品

• チップ観察、測長、SiC MOSFET断面解析：セル部(SEM)
• 他社SiC MOSFETとの比較

② 構造解析レポート：　価格 ￥650,000 (税別)　発注後1weekで納品

• 概要解析レポートの内容を含みます。
•  STMicroelectronics社の1200V SiC MOSFETの比較すると性能(RonAA)は劣るものの、中国主要メーカーのBASiC社の最新世代(Gen2)品に匹敵しています。
• 断面構造解析の結果、本製品は信頼性に懸念がある箇所が確認されます。

③ 電気的特性解析レポート(企画中)：　価格はエルテックまでお問い合わせください。

• DC電気的特性の測定と解析。温特、RON成分解析、静電容量と電圧耐圧を測定

④ プロセス解析レポート(企画中)：　価格はエルテックまでお問い合わせください。

レポートパンフレット

SiC MOSFET(1200V)：三安半導体 SMS1200075M2 概要、構造解析レポート (Release)

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