新着情報

2023.11.16

CMOSイメージセンサ:Samsung Galaxy S23, S22 Ultra搭載メインカメラ 構造・レイアウト解析レポート

光学顕微鏡写真(S23 Ultra) 平面SEM写真(S23 Ultra) 断面SEM写真(S23 Ultra) レポート概要  Galaxy S23 Ultraの……

2023.11.16

SiC SBDs (600-1200V):調査・ベンチマークレポート

レポート概要  約20年前に初めて商業的に導入されたSiC ショットキーバリアダイオード (SBD) は、(Si PN ダイオードと比較して) 非常に低いターンオン電圧、単極キャリア伝導により逆回復電流を無視できるため、パワーエレクトロニ……

2023.11.16

LDO:ローム製 BD933N1WG-CTR 回路解析レポート

Package X線写真 Chip Overview レポート概要 近年、自動車分野においては、電気自動車や自動運転技術の進歩に伴う技術革新により、電子部品の搭載数……

2023.09.13

SiC MOSFET(650V):デンソー(LEXUS 「RZ450e」搭載)インバータモジュール SiC MOSFET構造、プロセス解析レポート

TOYOTA LEXUS RZ450e (WEB情報より) モジュール外観 チップ写真 レポート概要 ・トヨタ レクサスから、フル電動のバッテリーEV(BEV)専用……

2023.09.13

SiC MOSFET (1200V) :STMicro社製第3世代SiC MOSFET SCT040W120G3AG 短絡耐量評価・解析レポート

 レポート概要 ・パワーデバイスの短絡耐量(SCWT)は、耐久性、信頼性を表す重要な指標となります。  歩留まり、コストの問題から、Si-IGBTに比べてSiC-MOSFETは……

2023.09.13

SiC MOSFET (1200V) :STMicro社製第3世代SiC MOSFET SCT040W120G3AG 構造、プロセス解析レポート

製品概要と特長 ・STMicro は、2021 年末に第 3 世代の SiC MOSFET テクノロジを発表。SCT040W120G3AGは、この技術を使用した同社最新プレーナ型MOSFETの製品となり……

2023.09.13

GaN HEMT(650V): ローム EcoGaN GNP1070TC-Z 構造解析レポート

パッケージ写真 チップ写真 (GaN HEMT) チップ写真 (保護ダイオード) レポート概要 ・近年、GaNデバイスは高速スイッチングの特性優位性から、電源アプリ……

2023.09.13

有機ELパネル:Samsung製 (iPhone14 Pro Max搭載) 解析レポート

iPhone 14 Pro Max 画素部 (点灯状態) 画素部 (反表示面) レポート概要 ・有機EL(OLED)パネルは、素子そのものが発光するため応答速度が速……

2023.08.25

3軸加速度センサ:ADI製ADXL367_ADXL362 構造比較解析 レポート

ADXL367(新製品) ADXL362(従来品) 概要 ・2022年5月にADIより3軸MEMS加速度センサADXL367が発売された。  ・旧製品(ADXL362)と比較して、小型化、低消費電力、分解……

2023.08.25

LiDAR:Valeo製SCALA2(Benz S-class(2022)搭載)投光、受光基板回路解析レポート

Valeo製SCALA2 外観 投光基板と搭載部品 受光基板と搭載部品 概要 ・自動運転技術の進展とともに、LiDARの需要が急拡大している。LiDARやレーザーの市場規模は201……

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