新着情報

2023.05.25

RC-IGBT(750V): 富士電機製 (トヨタ クラウン CROSSOVER RS(2022) 搭載) パワーモジュール、RC-IGBT 構造解析レポート

モジュール外観 モジュール内X線画像 チップ写真 概要  型番 : 6MB1600XRUF075V-50  ・トヨタ自動車 クラウン CROSSOVER RS(2022年9月に発売)の1……

2023.05.25

コンプレッサ:豊田自動織機(日産自動車 Ariya(2022))搭載(ESB34)基板回路解析レポート

日産自動車 Ariya(2022) 引用: https://www3.nissan.co.jp/ 搭載コンプレッサ 搭載基板 概要 ・日産Ariyaは2022に発売されたクロスオ……

2023.05.25

インバータ:日産自動車 (日産自動車 Ariya(2022))巻線界磁基板回路解析レポート

日産自動車 Ariya(2022) 引用: https://www3.nissan.co.jp/ ドライブ基板 パワー基板  概要 ・日産Ariyaは2022に発……

2023.04.04

SiC MOSFET(1200V):Infineon製 CoolSiC M1H 構造解析レポート

  パッケージ写真 チップ写真 概要   2022年4月、 Infineonから同社のCoolSiCシリーズにM1Hと呼ばれる1200V SiC MOSFETが発表された。 同製品は最新……

2023.04.04

GaN HEMT(650V):STMicroelectronics製 VIPERGAN50構造解析レポート

パッケージ写真 チップ写真(GaN HEMT) チップ写真(制御IC) 型番: VIPERGAN50   650V E-mode power GaN transi……

2023.03.03

SiC MOSFET(1700V):1000V入力DC-DC(Flyback)コンバータに使用されるSiCトランジスタの調査レポート

回路図のQ1は、高電圧スイッチングトランジスタを表しています。 トランジスタQ1が今回の調査対象です。 背景 補助電源として使用される定格電力が 150W 未満で、主にフライバック トポロジが採用さ……

2023.03.03

SiC MOSFET(1200V): Onsemi社製 (NTH4L022N120M3S) 解析レポート

  パッケージ チップ写真 製品概要 onsemi社製のM3Sファミリーの最初の新しいSiC MOSFET製品がリリースされた。同社のEliteSiCパワーモジュールで使用されている。 本トラン……

2023.03.02

有機ELパネル:BOE製 (Oppo Watch 3 Pro搭載) 解析レポート

Oppo Watch 3 Pro 酸化物半導体TFT 画素部OM 概要  ・ OLED 曲面ディスプレイを搭載したスマートウオッチ  ・ ……

2023.03.01

降圧型コンバータ:Texas Instruments (TPS62841) 回路解析レポート

PKG写真 チップ写真(Poly-Si) TPS62841 ブロック図 概要、製品特徴 ・Texas Instrumentsより2019年にリリースされた降圧型DC-DCコ……

2023.03.01

RF switch :iPhone14(ModelA2881)搭載 Avago製 (AVAGO8245) 解析レポート

i-phone 14 概要 ・Broadcom(Avago Technologies)製  AVAGO8245  は高周波信号のスイッチとしてApple製iPhone14 に採用されており、本製品……

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