半導体

SiC MOSFET(1700V)：ON Semiconductor製 NTH4L028N170M1 構造、プロセス解析レポート


PKG写真	SiC MOSFET写真	セル部　断面SEM写真

レポート概要

　本製品はON Semiconductor製のSiCパワーデバイス製品群である「EliteSiC」シリーズの1700V SiC MOSFETとなります。本レポートでは断面、平面構造の特徴を明らかにし、また構造解析結果からプロセスフロー推定、電気特性結果の解析、他社1700品との比較も行っています。

型番： NTH4L028N170M1　 Vdss=1700V、Id=80 A、Ron=28mΩ　製品リリース日：2023年1月

・最大Vgs範囲は-15V／25Vで、ゲート電圧が最大-10Vになる高速スイッチングアプリケーションに最適で、システムの信頼性向上を実現する

・エネルギーインフラや産業用ドライブアプリケーション向け

①構造解析レポート　価格: ￥800,000(税抜）　発注後1weekで納品

　・2層メタル構造→トランジスタの面積効率によるRONA低減。

　・SCM分析結果からepi層厚の測長とepi層濃度の半定量評価を実施。

②プロセス解析レポート　価格: ￥600,000(税抜)　発注後1weekで納品

　・トランジスタ領域面積当たりのON抵抗：RonxAAは610mΩ・mm2　※他社1700品の第2世代相当

　・電圧耐圧（BVdss）の実測によって耐圧マージンを確認

　・耐圧とepi層/Buffer層の関係

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