半導体

GaN FET(150V)： NEXPERIA製 GAN7R0-150LBE 構造解析レポート


パッケージ外観	チップ写真

レポート概要

　GaNデバイスは低いオン抵抗と高速スイッチング性能に優れていることから、各種電源アプリケーションの省エネ化や小型化への貢献が期待されています。中でも200V以下のGaNデバイスの市場の伸びが期待されています。

　2023年5月、NEXPERIAは超低オン抵抗（7mΩ）を特徴とする新しいノーマリオフ、150V GaN FETを発表しました。

　本レポートでは、このNEXPERIA 150V GaN FETについて、パッケージの断面構造、GaNチップの平面、断面構造、組成分析を行い、本製品の特徴を明らかにしています。

型番：GAN7R0-150LBE 　製品リリース日：2023年5月

　・Vds=150 V、超低オン抵抗（7mΩ）

　・2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm Land Grid Array (LGA) package

　・アプリケーション

　　低ノイズのクラス D オーディオアンプ、小型のLiDARトランシーバー、

　　48 V システムの高周波 DC-DC コンバータ、400 V ～ 48 V LLC コンバータ、二次 (整流) 側

構造解析レポート　　価格：￥850,000（税別) 　発注後1weekで納品

　・GaN-FETチップとPCB基板はマイクロバンプで接続。

　・GaN-FETチップの配線構成は6Metal (Ohmic Metal Pad含む）。

　・トランジスタはP-GaNメサ型構造。

　・GaN-Epi膜厚は1628nm(P-GaN含む）。

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