半導体

SiC MOSFET(1200V)：Navitas(GeneSiC) G3F34MT12K 概要解析レポート


TO-247-4 パッケージ	SiC MOSFETチップ

概要

　2024年6月、Navitas (GeneSiC：2022年にNavitasが買収)は、新しい第3世代「高速G3F」MOSFET 650Vおよび1200Vファミリーを発表しました。G3Fの特徴として、構造面では独自の「トレンチアシストプレーナ」技術を採用、性能面では、優れた堅牢性(30%長い短絡耐量を実現)や最大600kHzのスイッチング速度が挙げられます。今回、この新しい第3世代1200V SiC MOSFETについて、デバイス構造の特徴を明らかにした概要解析レポートをリリースしました(※1)。
(※1)現在企画中の構造解析レポートとの内容の違いにつきましては、下記解析内容及びP.3を参照ください。

製品特徴

型番：G3F34MT12K Vdss=1200V、63A、34mΩ　製品リリース日： 2024年8月

Datasheet: https://navitassemi.com/wp-content/plugins/gb-navitas-stock-checker/product_files/G3F34MT12K.pdf
・自動車AEC-Q101認定
・アプリケーション：　AIデータセンターの電源, xEV OBC&DC-DC, エネルギー貯蔵システムなど

解析内容

概要解析レポート：　価格　￥300,000 (税別)　　発注後1weekで納品
・チップ観察、測長。
・SiC MOSFET断面解析：　チップ終端部、セル部（エピ構造、膜厚の確認) 。
・NAVITAS G3R (※2)とG3Fの構造比較。
・「トレンチアシストプレーナ」技術に関する関連特許の紹介。

構造解析レポート(企画中) ：　価格はエルテックまでお問い合わせ下さい。
・概要解析レポートの内容を含みます。
・SiC MOSFET平面解析：　配線接続、レイアウト確認。
・SCM分析　　※G3RのSCM分析は、ご要望がありましたら、実施致します。
短絡耐量評価レポート(企画中) ：　　価格はエルテックまでお問い合わせ下さい。
・短絡耐量試験測定結果。
・G3Rとの比較を行ない、30%長い短絡耐量について明らかにする。

レポートパンフレット

24R-0694-1 Br-L2_SiC MOSFET(1200V)：Navitas(GeneSiC) G3F34MT12K 概要解析レポート (Release)

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