SiC MOSFET(1200V)：Kia EV6 GT搭載ON Semiconductor製パワーカード構造解析


Kia EV6 GT (WEB情報より)	パワーカード外観	SiC MOSFET写真

レポート概要

　Kia EV6 GTは、 2021年3月に現代自動車傘下の起亜自動車（Kia Motors）から発表され、2022年に発売された同社初のBEV（バッテリー電気自動車） Kia EV6の高性能モデルとなります。

　同車のリアモーターを駆動するインバータは２台構成（Si-IGBT使用※＋SiC MOSFET使用）となっている。通常出力時：インバータ(1台)、高出力時：インバータ(2台)にてモーターを駆動しています。

　今回は、本インバータに搭載されているON Semiconductor製SiC MOSFETのパワーカードについての構造・プロセス解析レポートとなります。 ※Infineon社製のモジュール

型番：NVVR26A120M1WSS　1200V SiC MOSFETパワーカード　製品リリース日： 2022年

① 構造解析レポート　　　価格：￥800,000 （税抜）　発注後1weekで納品

　・トランジスタ面積を最大化するために2層メタルプロセスを使用している。

　・SourceワイヤにはCuリボンを、ダイアタッチにはAgシンターを使用している。

　・パワーモジュールにはDBC基板を使用しており、絶縁層はAl,N系である。

② プロセス解析レポート　　　価格： ￥600,000 （税抜）　発注後1weekで納品

　・単位面積あたりのオン抵抗(RONxA:465mΩ・mm2)は、他社の第2～3世代のSiCプロセス相当になる。

　・N-エピ（ドリフト）の厚さとドーピング濃度を抽出し、測定された耐圧BVdssと相関がある。

　・製造プロセスフローとフォト/マスキング工程数を見積っている。

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