半導体

SiC MOSFET(1200V)： Inventchip Gen3 IV3Q12013T4Z 概要、構造、プロセスと電気特性解析レポート


パッケージ外観	Inventchip 第3世代SiCチップ

概要

　中国の大手SiCメーカーであるInventchip社は、2019年に第1世代、 2023年に第2世代、2024年6月
に第3世代SiC MOSFETを発表しました (※第1世代の解析レポート21G-0033-3は販売中です)。
　この第3世代SiC MOSFETは、SiC主要メーカー（Infineon、Wolfspeed、Rohm、STMicroelectronics）
と同等のRonxAであることから、中国のSiC技術の進歩が窺える製品です。
　今回、同製品の概要、構造、プロセス・電気特性解析レポートをリリースし、その特徴を明らかに
にするとともに、前世代や他メーカーとの比較を行い、その実力を見極めています。

製品特徴

型番：　IV3Q12013T4Z　VDS= 1200V　ID= 147A RDS(on) = 13.5 mΩ　製品リリース日：2024年6月(DS)

・車載認定（AEC-Q101）対応
・アプリケーション：EV Motor drivers, Solar MPPT and inverters, High-voltage DC-DC converters

解析内容・結果概要 (各レポートの目次はP.2, 4, 6を参照)

① 概要解析レポート：　価格￥300,000（税別)　発注後1weekで納品　
・パッケージ観察、チップ観察、測長。
・ SiC MOSFET断面解析：　チップ終端部、セル部 (エピ構造、膜厚の確認) 。
② 構造解析レポート：　価格￥750,000（税別)　発注後1weekで納品　
・①概要解析レポートの内容を含む。
・セル部のTEM構造解析およびチップ裏面のアニール痕の解析も行なっています。
・断面構造解析の結果から、本製品は信頼性に懸念があることを確認しました。
③ プロセスと電気特性解析レポート：　価格￥750,000（税別)　　発注後1weekで納品　
・製造工程とフォト/マスキング工程を推定し、製造プロセスシーケンスの詳細を示しています。
・本製品のRonxAAを第1世代品および主要メーカー（Infineon、Wolfspeed、Rohm、STMicroelectronicsなど）と比較した結果、第1世代から約47%縮小とSTMicroelectronicsの第3世代品に匹敵することを
確認しました。

オプション解析：SCM評価　納期・価格はエルテックまでお問い合わせください。