GaN FET (150V)：Innoscience製 INN150LA070A 概要解析レポート

パッケージ外観	GaN FETチップ写真

概要

　近年、データセンター機器や通信機器、電気自動車(EV)などの48Vアプリケーション向けに、150V GaN FET (主要メーカー：ROHM、EPC、GaN Systems)の需要が増加しています。GaN FETに特化した中国の半導体メーカーであるInnoscienceは、2022年3月に150V GaN FETのラインナップを発表しています。

　本レポートでは、そのInnoscienceから発表されている150V GaN FETについてパッケージ構造、素子部断面観察などの構造解析 、Nexperia製 150V GaN FET(GAN7R0-150LBE)との比較を行っています。

製品仕様・特徴

・GaN-on-Silicon E-mode (ノーマリーオフ) HEMT

・アプリケーション:

　モータードライバ、クラス D オーディオアンプ、 48Vシステムの高周波DC-DCコンバータなど                        

レポート内容・結果概要 (レポートの目次はP.2を参照)

概要解析レポート　　価格 ：￥150,000 (税抜)　発注後1weekで納品

・パッケージ外観とデータシートの数値はNexperia製 150V GaN FET(GAN7R0-150LBE)と類似。

　チップサイズ、レイアウト、断面構造に類似点が確認されます。

・詳細は本レポートをご参照ください。

レポートパンフレット

23R-1046-1 Br-L2 GaN FET (150V)：Innoscience製 INN150LA070A 概要解析レポート (Release)

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