半導体

SiC MOSFET(1200V)：Infineon AIMBG120R010M1 構造、プロセス解析レポート


パッケージ外観	SiC MOSFET

レポート概要

　2023年5月、Infineonは車載アプリケーション向けの新世代1200V CoolSiC MOSFETを発表しました。

　この車載用グレードのSiC MOSFETにより、高い電力密度と効率の提供、双方向充電機能、システムコストの削減が可能で、オンボードチャージャー (OBC) やDC-DCアプリケーション向けの製品となります。

　今回その解析レポートとして下記の2つをリリースします。

（１）　構造解析レポート：パッケージ断面、SiCチップの平面、断面解析

（２）　プロセスフロー解析レポート：製造プロセスフローの推定、電気特性と構造の関係

　これらのレポートから、本製品の特徴を明らかにしてます。

　さらに、Infineon CoolSiC 1200Vトランジスタの最初の製品(2017年)から最新製品(2023年)までの進化を評価しています。

型番：AIMBG120R010M1 車載用1200V SiC MOSFET　205A、8.7mΩ　製品リリース日：2023年5月

　・動作 Vgs=20V (前世代の 18V よりもはるかに高い)

　・低いRon (8.7mΩ)、現在市場にあるTO263-7パッケージの中で唯一のサブ１０ mΩ タイプ

　・.XTテクノロジー

①構造解析レポート　　　　　　　価格：￥650,000 （税抜）　 発注後1weekで納品

　・パッケージ・実装技術： .XT テクノロジーを使用した超薄型ダイアタッチ

　・JFETを最適化するためにPシールド/Pwellを再設計

　・チャネル長（Lch）を短くしてトランスコンダクタンスを向上

　・TEMによるゲート絶縁膜の観察

② プロセス解析レポート　　　　価格：￥600,000 （税抜）　発注後1weekで納品

　・単位面積当たりのオン抵抗 RONxAA=196mΩ・mm2

　　他社第3世代より 20 ～ 40%低く、この性能は、構造的特徴のサイズを縮小することなく達成された。

　・チャネルキャリア移動度が競合他社の SiC トランジスタよりも 3～ 4倍高いことが明らかになった。

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