半導体

SiCモジュール(1200V)： Infineon HybridPACK Drive G2 FS02MR12A8MA2B モジュール構造、SiC MOSFET概要、構造解析レポート


モジュール外観	モジュール内部	搭載SiC MOSFETチップ

概要

InfineonからHybridPACK Driveの新製品として第2世代品(G2)がリリースされました。
HybridPACK Drive G2は、さまざまなインバータ電力クラス向けに最適化された非常にコンパクトなB6ブリッジパワーモジュール (1200V/390A) です。　
本レポートは、このHybridPACK Drive G2モジュールおよび搭載されているSiC MOSFETの概要、構造解析レポートをリリースします。

製品仕様・特徴

型番：FS02MR12A8MA2B 　VDSS=1200V, ID=390A, RON = 15.2 mΩ (1トランジスタあたり)
製品リリース日：2024年4月

データシート
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-FS02MR12A8MA2B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f10b16f0042eb

・第2世代CoolSiC Automotive MOSFET搭載
　※第2世代 CoolSiC Gen2(IMBG120R078M2H) のレポートは販売中です。詳しくはエルテックまでお問い合わせください。
・車載用アプリケーション向けレポート内容・結果概要　（各レポートの目次はP.2, P.4 と P.5 を参照）
① モジュール構造解析レポート：価格￥700,000 （税別)　　発注後1weekで納品
　・モジュールの温度検出素子として、外付けのSi温度センスダイオードが使用されています。
　・ダイアタッチ材として薄いAgシンターが使用されています。
② SiC MOSFET概要解析レポート　価格￥350,000 （税別)　　発注後1weekで納品
　・パッケージ観察及びチップ観察、チップのセル部、チップ端部の断面観察を行っています。
③ SiC MOSFET構造解析レポート　価格￥900,000 （税別)　　発注後1weekで納品
　・本製品と第2世代ディスクリート品(MBG120R078M2H)との構造比較の結果、
　　Top Metalの材質やバリアメタルの膜厚、ILDの形状に関して異なる点を確認しました。
　・TEMによるセル断面観察も行なっています。
　・概要解析レポートの内容も含まれます。