自動車部品

IGBTパワーモジュール(750V)：BYD製(ATTO 3搭載) BG820F08B14L5 モジュール、IGBT構造解析レポート

https://www.byd.com/jp/car/atto3

モジュール外観

IGBTチップ写真

概要

・中国のEV（電気自動車）最大手のBYD(比亜迪）は、 2022年2月に中国で「ATTO 3」を販売開始。
　「ATTO 3」は 58.56kWhのバッテリーを搭載、485kmの走行が可能。
　日本市場向け乗用車のEVとして 2023年1月から日本でも販売を開始されている。
・本レポートは、この「ATTO 3」のインバータに搭載されているIGBTパワーモジュールについて、モジュール、搭載IGBTの詳細を明らかにした構造解析レポートになります。

製品特徴

型番： BG820F08B14L5 750V Si-IGBT IC＝820A　製品リリース日：2022年

・ATTO3搭載モータ150kW （システム電圧390V）搭載のモジュール
・IGBTは750Vトレンチ&フィールドストップテクノロジーを採用
・モジュールの電流能力（Ic＝500A：TF=65℃, Tvj=150℃、Ic＝820A：TF=25℃, Tvj=175℃
・電流密度は3.4 A/mm2

参考：URL：https://www.bjxchip.com/web/soft/bg820f08b14l5.pdf

解析、レポート内容

① モジュール構造解析レポート　価格：￥400,000 （税別)　　発注後1weekで納品
　・温度検出素子としては外付けのサーミスタが使用されており、
　　チップ内蔵の温度センスダイオードは形成されていない。
・ダイアタッチはSn系はんだを使用。
　・絶縁層に酸化アルミ系DBC基板を採用。　

② IGBT構造解析レポート　価格：￥600,000 （税別)　　発注後1weekで納品
　・トレンチ型のIGBT、1相 Si-IGBT（4チップ）＋Si-FWD（3チップ）の構成。
　・セルピッチ、トレンチ幅、深さはInfineon EDT2と同程度のマイクロトレンチプロセス。
　※底部形状が特徴的（中国メーカーで確認される）
　・コンタクト径とトレンチ幅のサイズの問題で、電極引き出しPad採用。
　・終端部の耐圧構造にはJTEとガードリングを採用。