販売レポート

半導体

GaN HEMT(650V):Cambridge GaN Devices CGD65B200S2 構造解析、プロセス解析、回路解析レポート

PKG写真 X線 GaN HEMTチップ 回路構成 レポート概要  英国の新興企業であるCambridge GaN Devices社(CGD)は、シン……

半導体

SiC MOSFET(1200V):BASiC Semiconductor B2M065120Z 構造、プロセス解析、短絡耐量評価レポート

PKG写真 SiC MOSFET写真 レポート概要   2023年5月、中国の主要なSiCデバイスメーカーであるBASiC Semiconductorから第2世代SiC MOSF……

半導体

SiC MOSFET(1700V):ON Semiconductor製 NTH4L028N170M1 構造、プロセス解析レポート

PKG写真 SiC MOSFET写真 セル部 断面SEM写真 レポート概要  本製品はON Semiconductor製のSiCパワーデバイス製品群である「Elit……

自動車部品
半導体

SiC MOSFET(1200V):Kia EV6 GT搭載ON Semiconductor製 パワーカード構造解析

Kia EV6 GT (WEB情報より) パワーカード外観 SiC MOSFET写真 レポート概要  Kia EV6 GTは、 2021年3月に現代自動……

半導体

SiC MOSFET(1200V):BASiC Semiconductor B2M065120Z 構造、プロセス解析、短絡耐量評価レポート

PKG写真 SiC MOSFET写真 レポート概要   2023年5月、中国の主要なSiCデバイスメーカーであるBASiC Semiconductorから第2世代SiC MOSF……

自動車部品
半導体

SiC MOSFET(1200V):Wolfspeed製 (Lucid Motors Lucid Air搭載) パワーモジュール EAB450M12XM3 構造解析、プロセス解析レポート

パワーモジュール外観 パワーモジュール内部 SiC MOSFETチップ レポート概要  Lucid Motorsは2020年9月、高級電気自動車として「Lucid ……

半導体

SiC MOSFET (1200V) :Diodes製 (DMWS120H100SM4) 構造解析レポート

  パッケージ外観 チップ写真 トランジスタセル 断面 レポート概要 ・効率の向上や電力密度の向上を目的として、産業用モータドライブ、ソーラーインバータ、データセンターおよびテ……

半導体

LDO:ローム製 BD933N1WG-CTR 回路解析レポート

Package X線写真 Chip Overview レポート概要 近年、自動車分野においては、電気自動車や自動運転技術の進歩に伴う技術革新により、電子部品の搭載数……

半導体

SiC MOSFET (1200V) :STMicro社製第3世代SiC MOSFET SCT040W120G3AG 短絡耐量評価・解析レポート

 レポート概要 ・パワーデバイスの短絡耐量(SCWT)は、耐久性、信頼性を表す重要な指標となります。  歩留まり、コストの問題から、Si-IGBTに比べてSiC-MOSFETは……

半導体

SiC MOSFET (1200V) :STMicro社製第3世代SiC MOSFET SCT040W120G3AG 構造、プロセス解析レポート

製品概要と特長 ・STMicro は、2021 年末に第 3 世代の SiC MOSFET テクノロジを発表。SCT040W120G3AGは、この技術を使用した同社最新プレーナ型MOSFETの製品となり……

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