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販売レポート
パッケージ外観 GaN FETチップ 概要 これまで化合物パワーデバイスの適用電圧範囲として、SiCパワーデバイスは650V以上の領域、GaNパワーデバイス（横型）は650V以下という使い分け……
IGBT外観 モジュール外観 モジュール内部 概要 InfineonのHybridPACK Driveは、ハイブリッド車や電気自動車のトラクション用途に開発されてい……
パッケージ全体写真 SiC MOSFETチップ写真 概要 SMC Diode Solutionsは、米国資本の半導体設計・製造会社ですが、南京(中国)に拠点を置き、 2024年には南京(中国)……
HMSI Activa125 https://www.honda2wheelersindia.com/activa125-BS-VI/specifications ACGスターター付きECU 基板 ……
モジュール外観 モジュール内部 搭載SiC MOSFETチップ 概要 InfineonからHybridPACK Driveの新製品として第2世代品(G2)がリリースされました。 ……
パッケージ写真 パッケージX線写真 Tesla Model Y ボディECU搭載 ハイサイドスイッチ 概要 解析対象となるInfineon製のハイサイドスイッチは、パワートラン……
パッケージ外観 SiC MOSFETチップ レポート概要 米国Coherent社（旧II-Vi社）は、WolfspeedやSiCrystal社などと競合する世界的なS……
Package Package X-Ray DieA Overview 概要 電気自動車やハイブリッド車に搭載されるバッテリマネジメントシステムでは、安全性を高めるために監視系の冗長性……
パッケージ外観 GaN FETチップ写真 概要 近年、データセンター機器や通信機器、電気自動車(EV)などの48Vアプリケーション向けに、150V GaN FET (主要メーカ……
モジュール外観 搭載SiC MOSFET パッケージ 搭載SiC MOSFETチップ レポート概要 Tesla Model YはSUVタイプのBEV(バッテリEV……
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