販売レポート

半導体

SiC MOSFET(1200V):Navitas(GeneSiC) G3F34MT12K 概要解析レポート

TO-247-4 パッケージ SiC MOSFETチップ 概要  2024年6月、Navitas (GeneSiC:2022年にNavitasが買収)は、新しい第3世代「高速G3F」MOSFET……

半導体

SiC MOSFET(1200V): Inventchip Gen3 IV3Q12013T4Z 概要、構造、プロセスと電気特性解析レポート

  パッケージ外観 Inventchip 第3世代SiCチップ 概要  中国の大手SiCメーカーであるInventchip社は、2019年に第1世代、 2023年に第2世代、2024年6月 に第……

半導体

DCDCコンバータ:Vicor DCM5614VD0H36K3T02 (1.3kW) 基板回路解析レポート

DCM9223 DCM5614VD0H36K3T02 外観 高電圧側基板 通信トランス基板 低電圧側基板 概要 メーカ型番 : DCM56……

半導体

SiC MOSFET(1200V): 三安半導体 SMS1200075M2 概要、構造解析レポート

パッケージ外観 チップ全体写真 概要  中国の化合物半導体メーカーである三安光電は、2023年6月に半導体大手のSTMicroelectronicsと SiCの量産に向けた合弁工場(2025年……

半導体

温度補償型MEMS発振器:SiTime SiT5501 回路解析レポート

Chip Overview (発振IC Top) Block Diagram (出典) Datasheet P.1 Figure 1. SiT5501 Block Diagram https://www.s……

半導体

GaN FET(900V):Power integrations 900V GaN FET(INN3690C)構造解析レポート

パッケージ外観 GaN FETチップ 概要  これまで化合物パワーデバイスの適用電圧範囲として、SiCパワーデバイスは650V以上の領域、GaNパワーデバイス(横型)は650V以下という使い分け……

半導体

IGBTパワーモジュール(750V):Infineon HybridPACK DriveG2 FS1150R08A8P3LBCHPSA1 解析レポート

IGBT外観 モジュール外観 モジュール内部 概要   InfineonのHybridPACK Driveは、ハイブリッド車や電気自動車のトラクション用途に開発されてい……

半導体

SiC MOSFET(1200V):SMC Diode Solutions製 S2M0080120D 概要、構造解析レポート

パッケージ全体写真 SiC MOSFETチップ写真 概要  SMC Diode Solutionsは、米国資本の半導体設計・製造会社ですが、南京(中国)に拠点を置き、 2024年には南京(中国)……

自動車部品
半導体

エンジンECU:ケーヒン製(Honda Motorcycle & Scooter India Pvt. Ltd. Activa搭載)基板回路解析レポート

  HMSI Activa125 https://www.honda2wheelersindia.com/activa125-BS-VI/specifications ACGスターター付きECU 基板 ……

半導体

SiCモジュール(1200V): Infineon HybridPACK Drive G2 FS02MR12A8MA2B モジュール構造、SiC MOSFET概要、構造解析レポート

モジュール外観 モジュール内部 搭載SiC MOSFETチップ 概要   InfineonからHybridPACK Driveの新製品として第2世代品(G2)がリリースされました。   ……

販売レポートのご購入・エルテックに関するご質問がございましたら
お問い合わせフォームよりお気軽にご連絡ください。

よくある質問はこちら