販売レポート

半導体

SiC MOSFET(1200V): 東芝デバイス&ストレージ製 (TW060N120C) 短絡耐量評価・解析レポート

概要 パワートランジスタ、特にSiCパワーMOSFETの短絡(SC)耐量は、最も厳しい信頼性関連仕様の1つです。 SiベースのIGBTと比較して、SiCトランジスタのサイズは小さいため、SC耐久時間(tsc)が大幅に短くなります。 ……

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SiC MOSFET(1200V): MOSFET (Rohm第4世代, 東芝第3世代, GeneSiC第3世代) 短絡耐量調査・ベンチマークレポート

レポート概要     車載モータインバータにSiC MOSFETを採用している車両が中国車を中心に増えてきました。インバータ搭載パワーデバイスの大きな課題の一つとして、短絡耐性があり、各社コスト(チップサイズ、歩留まり)制約の中で、短絡耐……

半導体

SiC MOSFET(1200V):Infineon製 CoolSiC M1H 構造解析レポート

  パッケージ写真 チップ写真 概要   2022年4月、 Infineonから同社のCoolSiCシリーズにM1Hと呼ばれる1200V SiC MOSFETが発表された。 同製品は最新……

半導体

GaN HEMT(650V):STMicroelectronics製 VIPERGAN50構造解析レポート

パッケージ写真 チップ写真(GaN HEMT) チップ写真(制御IC) 型番: VIPERGAN50   650V E-mode power GaN transi……

半導体

SiC MOSFET(1700V):1000V入力DC-DC(Flyback)コンバータに使用されるSiCトランジスタの調査レポート

回路図のQ1は、高電圧スイッチングトランジスタを表しています。 トランジスタQ1が今回の調査対象です。 背景 補助電源として使用される定格電力が 150W 未満で、主にフライバック トポロジが採用さ……

半導体

SiC MOSFET(1200V): Onsemi社製 (NTH4L022N120M3S) 解析レポート

  パッケージ チップ写真 製品概要 onsemi社製のM3Sファミリーの最初の新しいSiC MOSFET製品がリリースされた。同社のEliteSiCパワーモジュールで使用されている。 本トラン……

半導体

SiC MOSFET(1700V): ROHM製AC/DCコンバータ (BM2SC124FP2-LBZE2)構造解析レポート

パッケージ写真 1700V SiC MOSFET Si制御IC 製品概要 ロームから2021年5月にサンプル出荷されたBM2SC12xFP2-LBZシリーズは、17……

半導体

SiC JFET(1700V):Power Integrations (PI社) INN3949CQ 構造解析レポート

SiC JFET パッケージ写真 チップ写真 製品概要 Power Integrations(PI)から2022年2月にリリースされたINN3949CQ-TLは、1……

半導体

SiC MOSFET(1200V):三社電機製 (FMG50AQ120N6) 構造解析レポート

製品概要 三社電機製作所は以前より、100Aおよび150AのSiC MOSFETモジュール製品を提供している。今回、50Aのディスクリート製品をラインアップに追加した。 用途は、産業用インバーターやEV(電気自動車)向け充電器、UPS(……

半導体

SiC MOSFET(1200V): 東芝デバイス&ストレージ製 (TW060N120C) 構造解析、プロセス解析レポート

パッケージ写真 チップ写真 セル部断面写真   製品概要 2022年7月、東芝DS社は第3世代となるSiC MOSFETを開発し、同年8月から量産を開始した(TWxxNxxxC……

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