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販売レポート
レポート概要 ・パワーデバイスの短絡耐量（SCWT）は、耐久性、信頼性を表す重要な指標となります。 歩留まり、コストの問題から、Si-IGBTに比べてSiC-MOSFETは……
製品概要と特長 ・STMicro は、2021 年末に第 3 世代の SiC MOSFET テクノロジを発表。SCT040W120G3AGは、この技術を使用した同社最新プレーナ型MOSFETの製品となり……
パッケージ写真 チップ写真 (GaN HEMT) チップ写真 (保護ダイオード) レポート概要 ・近年、GaNデバイスは高速スイッチングの特性優位性から、電源アプリ……
ADXL367(新製品) ADXL362(従来品) 概要 ・2022年5月にADIより3軸MEMS加速度センサADXL367が発売された。 ・旧製品（ADXL362）と比較して、小型化、低消費電力、分解……
レポート概要 ・パワーデバイスの短絡耐量（SCWT）は、耐久性、信頼性を表す重要な指標となります。歩留まり、コストの問題から、Si-IGBTに比べてSiC-MOSFETはチップサイズを小さくしたい（……
概要 パワートランジスタ、特にSiCパワーMOSFETの短絡（SC）耐量は、最も厳しい信頼性関連仕様の1つです。 SiベースのIGBTと比較して、SiCトランジスタのサイズは小さいため、SC耐久時間（ｔｓｃ）が大幅に短くなります。 ……
レポート概要 車載モータインバータにSiC MOSFETを採用している車両が中国車を中心に増えてきました。インバータ搭載パワーデバイスの大きな課題の一つとして、短絡耐性があり、各社コスト（チップサイズ、歩留まり）制約の中で、短絡耐……
パッケージ写真 チップ写真 概要 2022年4月、 Infineonから同社のCoolSiCシリーズにM1Hと呼ばれる1200V SiC MOSFETが発表された。 同製品は最新……
パッケージ写真 チップ写真(GaN HEMT) チップ写真(制御IC) 型番： VIPERGAN50 650V E-mode power GaN transi……
回路図のQ1は、高電圧スイッチングトランジスタを表しています。 トランジスタQ1が今回の調査対象です。 背景 補助電源として使用される定格電力が 150W 未満で、主にフライバック トポロジが採用さ……
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