販売レポート

半導体

GaN内蔵ドライバ:Texas Instruments製 LMG3522R030-Q1 概要解析レポート

パッケージ内部(Bottom View) ゲート駆動ICのチップ外観 概要  車載システムの電動化に伴いパワーデバイスがキーデバイスとなり、特にSiCとGaNの採用による性能……

半導体

Gate Driver:Infineon製 1EDI3020AS 回路解析レポート

     パッケージ内部 チップ外観(一次側チップ) 解析対象ブロック レポート概要  今回は、Infineon製 Gate Driver(1EDI3020AS)の……

自動車部品
半導体

Gate Driver:Skyworks製 Si8284 概要解析レポート

パッケージ外観        パッケージ内部     チップ外観(二次側チップ) 概要  EV車載インバータにおいて、搭載面積、コスト面の削減が可能なことからフライ……

半導体

GaN HEMT(650V):Cambridge GaN Devices CGD65B200S2 構造解析、プロセス解析、回路解析レポート

PKG写真 X線 GaN HEMTチップ 回路構成 レポート概要  英国の新興企業であるCambridge GaN Devices社(CGD)は、シン……

半導体

SiC MOSFET(1200V):BASiC Semiconductor B2M065120Z 構造、プロセス解析、短絡耐量評価レポート

PKG写真 SiC MOSFET写真 レポート概要   2023年5月、中国の主要なSiCデバイスメーカーであるBASiC Semiconductorから第2世代SiC MOSF……

半導体

SiC MOSFET(1700V):ON Semiconductor製 NTH4L028N170M1 構造、プロセス解析レポート

PKG写真 SiC MOSFET写真 セル部 断面SEM写真 レポート概要  本製品はON Semiconductor製のSiCパワーデバイス製品群である「Elit……

自動車部品
半導体

SiC MOSFET(1200V):Kia EV6 GT搭載ON Semiconductor製 パワーカード構造解析

Kia EV6 GT (WEB情報より) パワーカード外観 SiC MOSFET写真 レポート概要  Kia EV6 GTは、 2021年3月に現代自動……

半導体

SiC MOSFET(1200V):BASiC Semiconductor B2M065120Z 構造、プロセス解析、短絡耐量評価レポート

PKG写真 SiC MOSFET写真 レポート概要   2023年5月、中国の主要なSiCデバイスメーカーであるBASiC Semiconductorから第2世代SiC MOSF……

自動車部品
半導体

SiC MOSFET(1200V):Wolfspeed製 (Lucid Motors Lucid Air搭載) パワーモジュール EAB450M12XM3 構造解析、プロセス解析レポート

パワーモジュール外観 パワーモジュール内部 SiC MOSFETチップ レポート概要  Lucid Motorsは2020年9月、高級電気自動車として「Lucid ……

半導体

SiC MOSFET (1200V) :Diodes製 (DMWS120H100SM4) 構造解析レポート

  パッケージ外観 チップ写真 トランジスタセル 断面 レポート概要 ・効率の向上や電力密度の向上を目的として、産業用モータドライブ、ソーラーインバータ、データセンターおよびテ……

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