ROHM製 SiCダイオード内蔵IGBT（Hybrid IGBT「RGW00TS65CHR」 解析企画

●概要
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2021年7月ロームから発表された、SiCショットキーバリアダイオード（SBD）を内蔵した耐圧650Vの
IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65Cシリーズ」。

電気自動車をはじめとする電動化車両（xEV）に搭載される車載充電器（オンボードチャージャー）やDC/DCコンバータのほか、
太陽光発電のパワーコンディショナーなど、大電力を扱う車載電装機器・産業機器に向けた、
車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠した製品である。

「RGWxx65Cシリーズ」は、IGBTの帰還部（還流ダイオード）に、低損失SiC SBDを採用したHybrid型のIGBTです。
Siファストリカバリダイオード（Si-FRD）を採用している従来品IGBTより、ターンオン損失を大幅に削減することに
成功しており、車載充電器搭載時には、従来品IGBT比で67%の低損失化を実現。

●RGW00TS65CHRの概要
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　超高速スイッチングタイプ, 650V 50A, TO-247N,

●解析予定内容、価格
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〇構造解析レポート
　・パッケージ外観、パッケージ構造解析、EDX材料分析
　・IGBTチップ　平面レイアウト解析、断面構造解析
　・SBDチップ　平面レイアウト解析、断面構造解析
レポート価格(概算)： 70万円（税別)　

〇オプション解析
　・IGBT、SBD電気特性評価(I-V特性、耐圧測定)
レポート価格(概算)：40万円（税別)　

上記内容の資料を添付しますので、ご確認お願い致します。

本レポートに対して　興味がある、詳細説明を聞きたい等、
ご興味、ご要望がございましたらcontact@ltec.bizまたは弊社営業担当までご連絡お願い致します。
なお、本解析につきましては、ご興味がある方が少数の場合は、解析を実施しない可能性がございます。