半導体

IGBTパワーモジュール(750V)：Infineon HybridPACK DriveG2 FS1150R08A8P3LBCHPSA1 解析レポート


		IGBT外観
モジュール外観	モジュール内部

概要

　　InfineonのHybridPACK Driveは、ハイブリッド車や電気自動車のトラクション用途に開発されているパワーモジュールで、車載主機インバータには、EDT2と呼ばれるSi-IGBTが各国多数の車両に採用　されています。
　　2024年4月には次世代となるEDT3が発売されました。今回、EDT3の特徴や前世代EDT2との比較、搭載FWDについての詳細を明らかにしたレポートをリリースしました (モジュールは解析中)。
　※ HybridPACK DriveG2には、SiC MOSFET(Gen2)が搭載されたモジュールもあり、こちらのデバイス解析レポートは販売中（24G-0211-1,2,3）　

製品特徴

型番：FS1150R08A8P3LBCHPSA1 　VCES=750V, IC=1150A 製品リリース日：2024年4月

データシート　https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-FS1150R08A8P3LBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f157c21bb0095

IGBTチップにオンチップ温度センサを内蔵　※EDT2はチップ外、モジュール各相にサーミスタを配置

解析内容・結果概要 (各レポートの目次はP.2, 4,を参照)

① モジュール構造解析レポート：価格￥600,000 （税別)　　9/25リリース予定　　

モジュール観察、モジュール平面解析/内部レイアウト確認、モジュール断面解析/材料分析
本レポートは現在解析中。

② 搭載Si IGBT構造解析レポート：価格￥750,000 （税別)　　発注後1weekで納品

搭載IGBTの電流密度は、前世代のEDT2よりも約30%改善。
終端部の耐圧構造にはJTE※を使用しており、最小加工寸法となっている（IGBT7相当）。
Infineon製IGBTとして初めてオンチップ温度センサが内蔵されている。（平面、断面解析実施）
裏面SR分析によりP+Collector層、N Field Stop層、N-Base層のキャリア濃度を調査しており、従来のInfineon製IGBTとはプロファイル異なる。

③ 搭載Si FWD構造解析レポート　価格 \ 500,000 （税別)　　発注後1weekで納品