GaN FET(900V)：Power integrations 900V GaN FET(INN3690C)構造解析レポート

パッケージ外観	GaN FETチップ

概要

　これまで化合物パワーデバイスの適用電圧範囲として、SiCパワーデバイスは650V以上の領域、GaNパワーデバイス（横型）は650V以下という使い分けがされていていましたが、最近、GaNパワーデバイスでも、高電圧(650V以上)、大電力用の製品が見られる様になってきました。
　米国Power Integrationsがスイッチング電源用ICとしてリリースしているInoSwitch3ファミリーは、1次、2次、フィードバックの各回路を内蔵したモジュールで、1次側スイッチには、PowiGaNと呼ばれる窒化ガリウム (GaN) 技術が採用、搭載されています。
　 INN3690Cは、900V耐圧のGaNチップが採用されており、本レポートは、モジュール、GaNチップの平面レイアウト、断面構造解析及び電気特性解析のレポートとなります。

製品特徴

• ノーマリーオンのGaN FET
• アプリケーション
  　　家電製品、コンピュータ、消費者向け製品用の補助電源、スタンバイ電源、バイアス電源

解析内容・結果概要 (レポートの目次はP.2を参照)

• サファイア基板上にGaN Epi層を形成
• Gate電極とAlGaN層の間に複数層のGate絶縁膜を形成
• 同社製GaN (2016年リリースのSC1993C: Vds= 650V) と比較して、Source-Drain ピッチが約30%縮小

レポート価格

レポートパンフレット

24G-0314-1 Br-L2 Power integrations 900V GaN FET(INN3690C)構造解析レポート (Release)