半導体

SiC MOSFET(1200V)：SMC Diode Solutions製 S2M0080120D 概要、構造解析レポート


パッケージ全体写真	SiC MOSFETチップ写真

概要

　SMC Diode Solutionsは、米国資本の半導体設計・製造会社ですが、南京(中国)に拠点を置き、 2024年には南京(中国)パワーディスクリート工場を開設、EVの主戦場である中国にてSiCデバイス販売を強化しています。同社は民生品中心のダイオードを中心としたディスクリート半導体の設計と製造を行っているメーカーですが、車載向けの製品にて技術力を把握しておくことは重要と捉えており、今回、車載向け1200V SiC MOSFETの概要、構造解析レポートをリリースしました。

製品仕様・特徴

・SMC第1世代品
・アプリケーション：
　　EV急速充電モジュール, EVオンボードチャージャー, ソーラーインバータ, DC-DCコンバータ

レポート内容・結果概要 (レポートの目次はP.2に記載)

①概要解析レポート　価格：　￥250,000 (税別)　　発注後1weekで納品
・パッケージ観察及びSiC MOSFETチップ観察、チップのセル部とチップ終端部に関する断面解析

②構造解析レポート　価格：　￥500,000 (税別)　　発注後1weekで納品
・非常に薄く平坦なダイアタッチ(Pb系)を使用。
・セル領域はプレーナ型ゲート構造。
・チップ外周部には、電界強度緩和のため、JTEとガードリング(JTEの内部)が形成されている。
・主要メーカーであるSTMicro社の1200VSiC MOSFETと比較すると、性能（RonAA）は劣るものの、中国の主要メーカーであるBASiC Semiconductor社の製品に匹敵する。