IGBTパワーモジュール(750V):BYD製(ATTO 3搭載) BG820F08B14L5 モジュール、IGBT構造解析レポート
https://www.byd.com/jp/car/atto3 | モジュール外観 | IGBTチップ写真 |
概要
・中国のEV(電気自動車)最大手のBYD(比亜迪)は、 2022年2月に中国で「ATTO 3」を販売開始。
「ATTO 3」は 58.56kWhのバッテリーを搭載、485kmの走行が可能。
日本市場向け乗用車のEVとして 2023年1月から日本でも販売を開始されている。
・本レポートは、この 「ATTO 3」 のインバータに搭載されているIGBTパワーモジュールについて、 モジュール、搭載IGBTの詳細を明らかにした構造解析レポートになります。
製品特徴
型番: BG820F08B14L5 750V Si-IGBT IC=820A 製品リリース日:2022年 |
・ATTO3搭載モータ150kW (システム電圧390V)搭載のモジュール
・IGBTは750Vトレンチ&フィールドストップテクノロジーを採用
・モジュールの電流能力(Ic=500A:TF=65℃, Tvj=150℃、Ic=820A:TF=25℃, Tvj=175℃
・電流密度は3.4 A/mm2
参考:URL:https://www.bjxchip.com/web/soft/bg820f08b14l5.pdf
解析、レポート内容
① モジュール構造解析レポート 価格:¥400,000 (税別) 発注後1weekで納品
・温度検出素子としては外付けのサーミスタが使用されており、
チップ内蔵の温度センスダイオードは形成されていない。
・ダイアタッチはSn系はんだを使用。
・絶縁層に酸化アルミ系DBC基板を採用。
② IGBT構造解析レポート 価格:¥600,000 (税別) 発注後1weekで納品
・トレンチ型のIGBT、1相 Si-IGBT(4チップ)+Si-FWD(3チップ)の構成。
・セルピッチ、トレンチ幅、深さはInfineon EDT2と同程度のマイクロトレンチプロセス。
※底部形状が特徴的(中国メーカーで確認される)
・コンタクト径とトレンチ幅のサイズの問題で、電極引き出しPad採用。
・終端部の耐圧構造にはJTEとガードリングを採用。
レポートパンフレット
23R-1029-1,2 Br-L2 IGBTパワーモジュール(750V):BYD製(ATTO 3搭載) BG820F08B14L5 モジュール、IGBT構造解析レポート (Release)
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