半導体

SiC MOSFET(1200V)： Coherent社製 TM3B0020120A 構造解析レポート

パッケージ外観

SiC MOSFETチップ

レポート概要

　米国Coherent社（旧II-Vi社）は、WolfspeedやSiCrystal社などと競合する世界的なSiCウェハメーカーです。
　CoherentはGeneral Electric(GE)からSiC技術のライセンスを供与されることによって、
　ディスクリートのSiC MOSFET製品を製造・販売しています。
　本レポートは、そのCoherentからリリースされたSiC MOSFETのセル構造、外周部構造についての構造解析レポートになります。

製品仕様・特徴

・200℃定格

レポート内容・結果概要

構造解析レポート　　価格：￥650,000（税別)　発注後1weekで納品

・GEの技術であるドット状JTE構造は、他メーカーよりその領域を縮小しつつ、
　セル端部での電界集中の緩和及びトランジスタ面積の最大化を達成できるよう設計されている。
　(JTE構造に関して該当する特許をレポートに記載しています)　　　　　　JTE：Junction Termination Extension
・Gate電極(Poly-Si)の低抵抗化のため、ポリサイドが形成されている。
・セルピッチとRonAAからは、第3世代以上相当のSiCプロセス技術が使用されていると考えられる。

※本製品のプロセス解析レポートやパッケージ詳細材料分析レポートも企画しています。
ご興味のある方は、エルテックまでお問い合わせください。