半導体

SiC MOSFET(1200V)：INFINEON製 AIMZH120R060M1T 短絡耐量評価・解析レポート

背景

　INFINEONは、2017年にCoolSiC Gen.1テクノロジーを採用したMOSFETを開発。本製品は改良され、2023年製品では、RonA FOMが約40％削減されています。

※Infineon製(AIMBG120R010M1)の解析レポート参考

　本レポートでは、2023年に発売のGen.1(改良版：Gen.1＋)にて短絡耐時間 (SCWT)の評価を行い、前世代、他社製品との比較を行っています。

型番： AIMZH120R060M1T 1200V　38A 60mΩ　製品リリース日：2023年11月29日（DS)

・試験測定データの結果と、短絡耐量を制限する物理的メカニズムを特定するための評価データ

・破壊までの臨界温度（Tj,crit）および破壊エネルギー（Esc)の抽出。

・ゲート酸化膜が劣化し始める臨界温度。

・ INFINEONと他社の1200Vトランジスタの短絡耐量の比較。

　トランジスタ構造とプロセスの変化。電気的特性（オフリーク電流と温度依存性）を比較。

・極低オン抵抗（RonA = 204mΩ×mm2）⇒小型チップの実現が可能

・電流短絡耐量評価結果（Tjcrit、Escf）⇒大手メーカーの現行製品に匹敵する性能。

　・短絡保護回路の最小応答時間を推測することが可能。

　・測定された短絡ドレイン電流波形と耐久時間（tsc,f）を、SPICE電気・熱シミュレーションで

　　使用し、トランジスタの内部温度を推定することが可能。

♦レポート価格（税別）　￥600,000 　発注後1weekで納品

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