半導体

SiC MOSFET(2000V) Infineon IMYH200R100M1HXKS1 構造解析、プロセス解析レポート


パッケージ外観	SiC MOSFET

レポート概要

　2023年1月、Infineonから2000V SiC MOSFETが発売されました。

　本製品は需要が高まっている1500VDCのアプリケーション向けとなっており、出力密度向上とシステムコスト低減を実現して、次世代の太陽光発電、電気自動車（EV）チャージャー、エネルギー貯蔵システムをターゲットとしています。

　今回、同製品について２つのレポートをリリースします。

① パッケージ断面構造、チップ平面、断面解析を行う構造解析レポート

② 製造プロセスフローの推定、電気特性と構造の関係をまとめたプロセスフロー解析レポート

レポートには断面構造、エピ層の膜厚、電気特性など1700V品との比較を行い、本製品の特徴を明らかにしています。

型番：IMYH200R100M1HXKSA1 2000V　26A 100mΩ　　製品リリース日：2023年1月

　・TO-247-PLUS-4 パッケージ搭載

　・同社の1700V SiC MOSFETと比べ低いドレイン-ソース間オン抵抗値を実現

①構造解析レポート　　　　価格：￥650,000 （税抜）　 発注後１weekで納品　　　　

　・パッケージ・実装技術：　.XTテクノロジーを使用した超薄型ダイアタッチ。

　・JFETを最適化するため、Pシールド/Pwellを再設計。

　・TEMによるゲート絶縁膜の観察。

② プロセス解析レポート　　　　価格：￥600,000 （税抜）　発注後1weekで納品

　・単位面積当たりのオン抵抗RonAAは450mΩ・mm²。耐圧の向上にも関わらず、同社製の1700V品

　　と比較すると、約50%低い。なお、セルピッチは同社製1700V品と同一。

　・同じ基本セルを用いて、RonAAを低減する方策を考慮し、解析を実施。

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