半導体

GaN内蔵ハーフブリッジドライバ：Infineon製 IGI60F1414A1L 概要解析・回路解析レポート


パッケージ内部	ハイサイドゲート駆動ICのチップ外観

ハイサイド・ゲート駆動ICの

回路解析対象エリア

解析対象ブロック

概要

　カーボンニュートラルの達成や脱炭素社会の実現のために、SiのパワーデバイスをSiCやGaNで置き換えることでの低損失化が期待されている。GaNデバイスは小型ACアダプタやUSB充電器などの民生品で採用が進んでおり、周辺回路の集積化により製品、製品搭載電源の小型化が進んでいる。

　Infineon社ではGaN FETのディスクリート品を既に発売しているが、IGI60F1414A1LはGaN FETとゲート駆動回路を1パッケージに統合した製品（CoolGaN IPS）として初めての製品となる。

　概要解析レポートでは、搭載チップ外観写真と解析対象チップのGateレイヤー外観写真、ロジック部断面観察によりデザインルールを特定しています。

　回路解析レポートではハイサイド・ゲート駆動ICにおける出力ドライバー周辺の回路解析を実施することで、詳細な回路構成の他に、チップの設計思想や駆動時のゲート保護動作などの特徴について明らかにしています。

　・Infineon　IGI60F1414A1L（2021年5月）

　・ハイサイドとローサイドの2つのGaN FETを含む絶縁ハーフブリッジIC

　・GaN FETは耐圧600Vでノーマリオフ（E-Mode）、最大ID=6A

　※Anker社の小型ACアダプタに採用が確認されている。

　・チップ情報　解析対象エリア 0.44mm2 積層メタル 4層

　【概要解析】

　・搭載チップサイズ、チップ写真（制御IC、GaN-FET（HS、LS）、ゲート駆動IC （HS、LS））

　・ハイサイドのゲート駆動ICの概要解析

　　（パッケージのX線観察、チップ外観＆サイズ、チップ Gateレイヤー、デザインルール）

　【回路解析】

　・チップサイズ、チップ写真（各層）、回路解析（出力ドライバー回路）、特徴ある機能や工夫についてコメント

　　納品物：レポートPDFと回路図ビューワー、SchematicのCADデータ（EDIFフォーマット）

　　【概要解析】価格：￥180,000 (税抜)　　　発注後1weekで納品

　　【回路解析】価格：￥1,670,000 (税抜)　　発注後 1weekで納品

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