半導体

GaN内蔵ドライバ：ローム製 BM3G007MUV-LB 概要解析レポート


パッケージ内部	ゲート駆動ICのチップ外観

概要

　カーボンニュートラルの達成や脱炭素社会の実現のために、SiのパワーデバイスをSiCやGaNで置き換えることでの低損失化が期待されています。GaNデバイスは小型ACアダプタやUSB充電器などの民生品で採用されており、周辺回路の集積化により製品、製品搭載電源の小型化が進んでいます。

　ロームとしてはGaN FETのディスクリート品（EcoGaN）を既に発売していますが、GaN FETとゲート駆動回路を1パッケージ化した製品は初となります。

　本レポートでは、搭載チップ外観写真と解析対象チップのGateレイヤー外観写真、ロジック部断面観察によりデザインルールを特定しました。

　・ローム　BM3G007MUV-LB　（2023年7月）

　・GaN FETは耐圧650Vでノーマリオフ（E-Mode）、最大ID= 20.9A

　・ゲート駆動回路にはスルーレート調整機能搭載

　・搭載チップサイズ、チップ写真（GaN-FET、ゲート駆動IC）

　・搭載ゲート駆動ICの概要解析

　（パッケージのX線観察、チップ外観＆サイズ、チップ Gateレイヤー、デザインルール）

　　価格：￥180,000 (税抜)　　　　　　　

　　発注後1weekで納品

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