半導体

GaN内蔵ドライバ：Texas Instruments製 LMG3522R030-Q1 概要解析レポート


パッケージ内部（Bottom View）	ゲート駆動ICのチップ外観

概要

　車載システムの電動化に伴いパワーデバイスがキーデバイスとなり、特にSiCとGaNの採用による性能向上が期待されています。

　GaN FETも車載システム採用へ向けた動きが加速しつつあります。本製品はGaN FETとゲート駆動回路を1パッケージに統合することで複雑なゲート駆動回路のマッチングを不要としたドライバICであり、 GaN FET統合で車載対応（AEC-Q100準拠）した製品は初となります。

　本レポートでは、搭載チップ外観写真と解析対象チップのGateレイヤー外観写真、ロジック部断面観察によりデザインルールを特定しています。

　・Texas Instruments LMG3522R030-Q1（2020年11月）

　・GaN FET内蔵ドライバICとしては初めての車載対応（AEC-Q100準拠）の製品

　　　※APEC2022で本製品を使用した駆動インバータソリューションが紹介されており注目の製品

　・GaN FET 耐圧650Vでノーマリオン　最大ID= 55A

　・ゲート駆動回路にはスルーレート調整機能を持つ

　・搭載チップサイズ、チップ写真（GaN-FET、ゲート駆動IC）

　・搭載ゲート駆動ICの概要解析

　（パッケージのX線観察、チップ外観＆サイズ、チップ Gateレイヤー、デザインルール）

　　価格：￥180,000 (税抜)　　　発注後1weekで納品

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