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Si-IGBT（750V）パワーモジュール：中国中車（CRRC）製 (TG950FF08S3-S4A01) 構造、プロセス解析レポート


搭載パワーモジュール　(TG950FF08S3-S4A01)

レポート概要

　本製品はCRRC社製の車載用750V 950A Si-IGBTモジュールです。

　本レポートでは、 CRRC製のSi-IGBT（チップパターンから同社6th TMOSと推測）について断面、平面解析、特徴、DC特性、プロセス解析とSi-FWDについて解析を行っています。

※CRRC：中国の中央企業（国有企業）であり、世界最大の鉄道車両メーカー

型番：TG950FF08S3-S4A01　6th Gen 750V Si–IGBT　IC=950A　製品リリース日： 2022年（推定）

　・広州汽車_影酷(Emkoo) インバータ搭載IGBTパワーモジュール

①Si-IGBT（750V）パワーモジュール：構造解析レポート

　　価格：￥700,000（税別)　　発注後1weekで納品

　　・セル部にCRRC製の特徴であるRET（Recessed Emitter Trench）構造が使用されている。

　　・Si基板内のSR分析を実施し、ウェハのキャリア濃度と濃度ピークを確認している。

②Si-FWD：構造解析レポート

　　価格：￥500,000（税別)　　発注後1weekで納品

　　・Si基板内のSR分析を実施し、ウェハのキャリア濃度と濃度ピークを確認している。

③Si-IGBT（750V）パワーモジュール：プロセス解析レポート

　　価格：￥600,000（税別)　　発注後1weekで納品

　　・Ic-Vce特性の実測結果より、Vce_satが第6世代品は第5世代と比較して改善されている。

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