WOLFSPEED(Cree）第3世代SiC系MOSFET C3M0065090D) 構造解析、プロセス解析レポート

・WOLFSPEED(Cree）第3世代SiC系MOSFET C3M0065090D) 構造解析、プロセス解析レポート

WOLFSPEED(CREE社） 第３世代SiC系NチャンネルPower MOSFETである、C3M0065090Dの構造解析、プロセスレポートをリリースしました。この第３世代の製品は、耐圧900V, 36Aの仕様で、単位面積当たりのオン抵抗（RON×A）が423mΩ×mm2と非常に低いことが特徴として挙げられます。 ※ Si系SJMOS C7世代のRONｘAは、 ～1000mΩ×mm2 本レポートでは、その低オン抵抗を実現するためのデバイス構造、材料と技術を 明らかにしています。