半導体

GaN HEMT(650V)：STMicroelectronics製 VIPERGAN50構造解析レポート

パッケージ写真

チップ写真(GaN HEMT)

チップ写真(制御IC)

型番： VIPERGAN50 　 650V E-mode power GaN transistor搭載
製品リリース日： 2022年4月

製品概要

　2022年4月、STマイクロエレクトロニクスから高電圧GaN（窒化ガリウム）コンバータ「VIPERGAN50」を発表されました。

　この製品は、最大50Wのシングル・スイッチ・フライバック・コンバータの構築を簡素化するように設計されており、高効率化・小型化のために650V耐圧GaNパワー・トランジスタを内蔵しています。

　アプリケーションは、電源アダプタやUSB Power Delivery対応充電器、生活家電、エアコン、LED照明、およびスマート・メータ用の電源など、コンスーマ機器や産業機器の製品です。

本報告書は、平面及び断面解析の結果に基づく構造解析レポートになります。　

本報告書では、

（i）平面解析によるGaNチップの配線レイアウト及び接続状況、制御ICの機能推定

（ii）断面解析によるGaNチップの構造、制御ICの構造

　（iii） GaN-Epi層の膜厚と組成分析

　（iv）他社製品（GaN Systems、Navitas）との比較等が含まれています。

① STMicro VIPERGAN50 650V GaN HEMT + 制御IC 構造解析レポート 　 90万円（税別）

　※目次が全て含まれた解析レポート

② STMicro VIPERGAN50 650V GaN HEMT 構造解析レポート 70万円（税別)　　

　※目次の内、「9. 制御IC解析」を除いた解析レポート

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